급속열처리장치
| 자원 분류 | 연구·실험장비 > 기계가공/시험 | 자원 명칭 | 급속열처리장치 |
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| 장소/위치 | 부산 영도구 동삼동 727 산학허브관 반도체실험실습관 | 제공 기관 | 한국해양대학교 |
| 담당자 정보 |
jhk33@kmou.ac.kr |
예약 방법 | |
| 예약 문의 | 051-410-4044 | 이용 대상 | |
| 준비 시간 | 없음 | 신청 서식 | |
| 이용 정원 | 1명 | 심사 여부 | 관리자 심사 후 승인 |
| 이용 요금 | 기본요금 80,000원 | 미니 홈페이지 |
| 실내·외 구분 | 등록된 정보가 없습니다. | 규모 면적 | 등록된 정보가 없습니다. |
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| 주차가능 여부 | 등록된 정보가 없습니다. | 제공 편의물품 | 등록된 정보가 없습니다. |
진공 Chamber에서 작업, 기본적으로 Single wafer 열처리 Halogen Lamp 사용, 공정시간은 1분 이내임. 히터 대신 할로겐이나 텅스텐 할로겐램프 등을 사용하여 적외선 복사광선을 발생시켜 레이저빔을 집광 렌즈에 모아 웨이퍼에 순간적으로 주사 한다. Furnace비교 매우 빠른 속도로 웨이퍼 처리 가능, Furnace비교 단점은 웨이퍼에 고르게 열을 전달하지 못하는 경우가 발생해 웨이퍼 내부의 국부적 온도차로 웨이퍼가 뒤틀리거나 단층이 생길 수 있다.
RTA(Rapid Thermal Anneal)
-이온주입과정의 결정 손상 회복과 이온(불순물) 활성화
-Poly silicon Activation
RTO(Rapid Thermal Oxidation)
-Sio2 박막 생성(O2/N2O/NO 가스 이용)
-High purity oxide growth by wet-RTO
RTS(Rapid Thermal Silicidation)
- 컨택저항이 적은 Metal silicide 박막 형성
- nomally 2 step processing
TRN(Tapid Thermal Nitridation)
-Ti/TiN(Diffusion Barrier) ANNEAL to diminish juction spiking and contact failure
1. Process chamber
2. Gas supply unit
3. Vacuum pumping system
4. PC type Process Control Unit
5. System Utility Connection
(1) 사용 가능한 기판 크기 : 조각 기판 및 4인치 기판 모두 사용 가능
(2) 최대 가열 온도 : 1,250℃
(3) 온도별 사용 허가 시간 : 5 min @1,250℃
10 min @1,200℃
15 min @1,100℃
30 min @1,000℃
60 min @900℃
120 min @< 800℃
(4) 승온 속도 : 50~200℃/sec for Silicon wafer
10~50℃/sec for Substrate on SiC coated graphite susceptor
(5) 냉각 속도 : 10℃/sec for Silicon wafer
(6) 온도 균일도 : ≤ ±1.5% @800℃, Silicon wafer
≤ ±1.0% @800℃, Substrate on SiC coated graphite susceptor
(7) 온도 정확도 및 재현도 : ≤ ±1℃ at Set temperature
(8) 온도 안정성 : ≤ ±0.1℃
처리중입니다.